APLICACIONES
- Grabado de metales.
- Grabado en Al2O3, Si, SiO2, Si3N4.
- Proceso de incineración, Proceso de MEMS, PSS, GaN, etc.
ESPECIFICACIONES
| Fuente de plasma | Modulo de antena especialmente diseñado para una mayor densidad de plasma |
| Tamaño de muestra | Oblea de 6” |
| Fuente de alimentación(ICP) | RF1000W |
| Voltaje BIAS | RF600W |
| Sistema de alto vacío | TMP + Bomba mecánica |
| Carga/descarga de muestras | Sistema de vacío de carga |
| Densidad de plasma | >5×10-11 /cm3 |
| Presión final | <5x10-6 Torr dentro de 1 hora |
| Uniformidad de grabado | <±5% |
