APLICACIONES
- Celdas solares de película delgadas de Silicio.
ESPECIFICACIONES
Tamaño de muestra | Obleas de hasta 4″ |
Fuente de alimentación | RF 13.56MHz, VHF 60MHz |
Tipo de depósito | PE-CVD, VHFCVD |
Tipo de plasma | Plasma directo |
Temperatura de sustrato | Máxima 450 C |
Uniformidad de temperatura | < ±3% |
Bombeo de vacío | Mecánica + TMP + Booster |
Máxima presión | 5 x 10-6 Torr en 60min |
Sistema totalmente automatizado utilizando interfaz PC |