APLICACIONES
- Creación de nano patrones ultra precisos.
- Creación de ultra líneas delgadas.
- Patrones de puntos.
- Procesamiento 3D.
- Patrones axialmente simétricos.
- Grabado en semiconductores compuestos.
- Grabado en silicio.
- Para dispositivos ópticos.
- Fabricación de dispositivos MEMS (se pude poner imágenes de algún MEMS o NEMS).
ESPECIFICACIONES
| Cañon/Voltaje de Aceleración TFE | （ZrO/W) /5-50kV |
| Tamaño de haz/anchura min | 2.0nm/10nm |
| Método de escaneo | Vector scan (X,Y), Vector scan (r,theta) estándar |
| Escaneo de área, punto de escaneo(opcional) |
Modulación de tamaño de campo, patrón simétrico axial, RAM DAC escritura punto digital, método de escritura 3D. |
| Tamaño del campo | 30umx30um,60umx60um, 120umx120um,300umx300um, 600umx600um(estandar) 1200umx1200um,2400umx2400um(opcion) |
| Pixel | 20,000×20,000dot,60,000×60,000dot@vector scan (estándar)240,000×240,000dot@vector scan (opción)4,000×4,000dot, 4,000×4,000dot,10,000×10,000dot, @raster scan (opción). |
| Tamaño mínimo de direccionamiento | 10nm@600umx600um campo, 2nm@120umx120um campo(estándar) 0.0012nm@500umx500um campo(estándar) |
| Tasa de lectura/Resolución | Vector scan(Analogo): 0.05- 300uS/0.01us(estandar)| Vector scan(Digital): 0.2-300uS/0.1us(estandar)| Raster scan: 0.3-300uS/0.1us(Opcion). |
| Tamaño de la oblea | 4,6,8inchΦ(otro tamaño, otra forma está bien) |
| Exactitud de puntos | 50nm(3sigma)@500umx500um,| 20nm(2sigma)@50umx50um |
| Exactitud de superposición | 50nm(3sigma)@500umx500um,| 20nm(2sigma)@50umx50um |
| CAD software | original CAD(estandar), ＧDSⅡconversion(opcion), DXＦ conversion(opcion) |
| OS | Windows2000, XP |
