Asher-RIE-System

APLICACIONES

  • Grabado en silicio.
  • Grabado en dieléctricos (SiO2, Si3N4, etc).
  • Grabado en poliamida.

ESPECIFICACIONES

Tamaño de sustrato 6″
Temperatura máxima 700C
Fuente de alimentación RF 13.56MHz, 600W
Sistema de flujo de gases Rango de control de flujo 0-100 SCCM
Gas: Ar, O2, SF6, CHF3(4 canales + opciones)
Presión máxima <1 x 10-6 Torr con 10min.